首都医科大学学报 ›› 1988, Vol. 9 ›› Issue (3): 159-163.
王海薇1, 吕国蔚1, 张炳烈2, 李文彬2
Wang Haiwei1, Lu Guowei1, Zhang Binlie2, Li Wenbin2
摘要: 在大鼠胎脑细胞原代单层细胞培养的条件下,从发育早期开始,观察了神经元膜的电学参数的演变。发育Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ和Ⅳ期脑细胞的静息膜电位的相对值分别为1、3.46、4.07和6.54;膜输入阻抗的相对值分别为1、1.48、2.53和4.56,Ⅱ、Ⅲ期电流电压关系在去极化方向上,呈指数曲线变化。自发动作电位的发生率随培龄增加;Ⅲ、Ⅳ期诱发动作电位振幅达最大值。结果提示:培养脑细胞的钾通道发育在Ⅰ、Ⅲ期较快,Ⅱ、Ⅳ期较缓,Ⅳ期末臻于成熟。